推拉力测试 探针台测试介绍

推拉力测试 探针台测试介绍

失效分析的意义主要表现具体来说失效分析的意义主要表现在以下几个方面： 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。

一般来说集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高失效分析工作也显得越来越重要通过芯片失效分析可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。
推拉力测试 探针台测试介绍
推拉力测试



主要用途

测试金铝线焊球黏合力、绑线拉断强度；芯片，Die黏合力；BGA焊锡球黏合力。



性能参数

a)拉力测试测试范围可在0-100G；0-1KG；0-10KG进行选择；

b)推球测试测试范围可在250G 或 5KG进行选择；

c)芯片推力测试范围可在测试到0-100公斤； 0-200KG进行选择；

d)镊子撕力测试头量程为100G 和5KG进行选择；

e)BGA拔球到0-100G；0-5KG进行选择；

应用范围

适用于半导体各种封装形式测试金铝线黏合力；及COB封装、光电,LED,SMT组装 ,原件与基板黏合测试



推拉力测试 探针台测试介绍

探针台测试



主要用途

通过微探针连接到芯片并引出所需信号用于电学特性测试



性能参数

放大倍数50X100X200X500X

8个探针座

带屏蔽箱

应用范围

微小连接点信号引出用于失效分析失效确认FIB电路修改后电学特性确认等。




失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。 失效分析可以评估不同测试向量的有效性为生产测试提供必要的补充为验证测试流程优化提供必要的信息基础。失效分析主要步骤和内容芯片开封：去除IC封胶同时保持芯片功能的完整无损保持 diebond padsbond wires乃至lead-frame不受损伤为下一步芯片失效分析实验做准备。SEM 扫描电镜，EDX成分分析：包括材料结构分析，缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试：以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割：以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。EMMI侦测：EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光）由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。OBIRCH应用（镭射光束诱发阻抗值变化测试）：OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法可以有效地对电路中缺陷定位如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充

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